是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.26 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 4 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 40 | JEDEC-95代码: | TO-66 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 25 W |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN2N3743 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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JAN2N3743U4 | MICROSEMI |
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Transistor |
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JAN2N3749 | MICROSEMI |
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PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
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JAN2N3762 | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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JAN2N3762L | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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JAN2N3763 | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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JAN2N3763L | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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JAN2N3764 | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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JAN2N3765 | MICROSEMI |
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PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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JAN2N3766 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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