JAN2N3791

更新时间： 2024-09-27 22:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN2N3791 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	SIMILAR TO TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/379F	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

JAN2N3791 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 379

Devices

Qualified Level

JAN

2N3791

2N3792

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Symbol 2N3791

2N3792

Ratings

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

7.0

4.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽²⁾

5.0

⁰C

85.7

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-3*

(TO-204AA)

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.17

qJC

1) Derate linearly @ 28.57 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly @ 0.857 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N3791

2N3792

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 70 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

5.0

mAdc

2N3791

2N3792

I_CES

5.0

2N3791

2N3792

I_CEX

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JAN2N3791 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N3791	MICROSEMI	完全替代	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3791	MICROSEMI	完全替代	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N3791	MICROSEMI	完全替代	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

与JAN2N3791相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N3792	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3810	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JAN2N3810L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3810U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3811	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3811L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3811U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3821	MICROSEMI	获取价格	TECHNICAL DATA
JAN2N3822	MICROSEMI	获取价格	TECHNICAL DATA
JAN2N3823	MICROSEMI	获取价格	TECHNICAL DATA

与JAN2N3791相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

18
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N3791

JAN2N3791 技术参数

JAN2N3791 数据手册

JAN2N3791 替代型号

与JAN2N3791相关器件

与JAN2N3791相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N3791

JAN2N3791 技术参数

JAN2N3791 数据手册

JAN2N3791 替代型号

与JAN2N3791相关器件

与JAN2N3791相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？