JAN2N3771

更新时间： 2024-09-28 23:16:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网高功率电源
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2页	61K
描述
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N3771 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-204AA	包装说明：	SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/413C	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	0.2 MHz	Base Number Matches：	1

JAN2N3771 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 518

Devices

Qualified Level

JANTX

JANTXV

2N3771

2N3772

MAXIMUM RATINGS

2N3771

2N3772

Ratings

Symbol

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

100

7.0

5.0

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

7.0

7.5

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

6.0

⁰C

P_T

150

Operating & Storage Junction Temperature Range

TO-3*

(TO-204AA)

-65 to +200

T_J_,T

stg

1) Derate linearly 34.2 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 857 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N3771

2N3772

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Vdc

I_C= 200 mAdc, R_BE= 100 W

2N3771

2N3772

V_(BR)

CER

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc, V_BE= -1.5 Vdc

Vdc

2N3771

2N3772

V_(BR)

CEX

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 7.0 Vdc

5.0

mAdc

2N3771

2N3772

I_CEO

I_EBO

I_CEX

2.0

2N3771

2N3772

Collector-Emitter Cutoff Current

V_BE= 1.5 Vdc, V_CE= 50 Vdc

V_BE= 1.5 Vdc, V_CE= 100 Vdc

500

2N3771

2N3772

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JAN2N3771 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5038G	ONSEMI	功能相似	NPN Silicon Transistors 20 AMPERE POWER TRANSISTORS 90 VOLTS - 140 WATTS
2N3442G	ONSEMI	功能相似	High−Power Industrial Transistors

与JAN2N3771相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N3772	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3791	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3792	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3810	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JAN2N3810L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3810U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3811	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3811L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3811U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JAN2N3821	MICROSEMI	获取价格	TECHNICAL DATA

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