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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-39 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/357H | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 650 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3635L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JAN2N3635UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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| JAN2N3636 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JAN2N3636 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N3636L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JAN2N3637 | ONSEMI |
获取价格 |
MIL-PRF-19500/357: 175 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita |
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| JAN2N3637 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JAN2N3637L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JAN2N3637L | ONSEMI |
获取价格 |
MIL-PRF-19500/357: 175 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-5 3-Lead, 100-BLKBX, Militar |
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| JAN2N3637UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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