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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N5038G
2N5038G PDF预览

2N5038G

更新时间： 2024-01-18 02:02:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
NPN Silicon Transistors 20 AMPERE POWER TRANSISTORS 90 VOLTS - 140 WATTS

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2N5038G 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.11外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：90 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

2N5038G 数据手册

 浏览型号2N5038G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5038G的Datasheet PDF文件第3页 
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
                                                                                                                       
65 to +200  
2N5038  
NPN Silicon Transistors  
Fast switching speeds and high current capacity ideally suit these  
parts for use in switching regulators, inverters, wide-band amplifiers  
and power oscillators in industrial and commercial applications.  
Features  
http://onsemi.com  
•ꢀHigh Speed - t = 0.5 ms (Max)  
f
•ꢀHigh Current - I  
= 30 Amps  
C(max)  
20 AMPERE  
•ꢀLow Saturation - V  
= 2.5 V (Max) @ I = 20 Amps  
C
CE(sat)  
NPN SILICON  
•ꢀPb-Free Package is Available*  
POWER TRANSISTORS  
90 VOLTS - 140 WATTS  
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Rating  
Symbol  
Value  
90  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
150  
150  
7
V
CEV  
V
EBO  
Collector Current -  
Continuous  
Peak (Note 2)  
I
C
20  
30  
I
CM  
Base Current -  
Continuous  
I
5
Adc  
B
TO-204AA (TO-3)  
CASE 1-07  
STYLE 1  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
140  
0.8  
W
W/_C  
_C  
C
D
Derate above 25_C  
J
stg  
MARKING DIAGRAMS  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
1.25 _C/W  
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Indicates JEDEC Registered Data.  
2N5038G  
AYYWW  
MEX  
2. Pulse Test: Pulse Width v 10 ms, Duty Cycle v 50%.  
2N5038  
V
CC  
+ꢀ30 V  
G
A
YY  
WW  
MEX  
= Pb-Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Country of Origin  
I
I
= 12 AMPS  
C
R
C
2.5  
= I = 1.2 AMPS  
B1 B2  
+11 V  
10 W  
PW = 20 ms  
DUTY CYCLE = 1%  
0
1N4933  
-ꢀ9 V  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
-ꢀ5 V  
Figure 1. Switching Time Test Circuit  
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
August, 2007 - Rev. 12  
1
Publication Order Number:  
2N5038/D  
 
123

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