JAN2N3634L

更新时间： 2024-11-10 22:51:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管开关
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2页	61K
描述
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

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JAN2N3634L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/357H	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	650 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

JAN2N3634L 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 357

Devices

Qualified Level

JAN

2N3634

2N3635

2N3636

2N3637

JANTX

2N3634L

2N3635L

2N3636L

2N3637L

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N3634* 2N3636*

2N3635* 2N3637*

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

140

175

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO-39* (TO-205AD)

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

140

175

5.0

1.0

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

1.0

5.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

TO-5*

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

140

175

Vdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 140 Vdc

hAdc

mAdc

I_CBO

100

2N3634, 2N3635

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc

I_CEO

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N3634UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JAN2N3635	ONSEMI	获取价格	MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita
JAN2N3635	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3635	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N3635L	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3635UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JAN2N3636	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3636	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JAN2N3636L	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JAN2N3637	ONSEMI	获取价格	MIL-PRF-19500/357: 175 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita

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