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IXYA8N250CHV

更新时间： 2024-02-23 09:11:29

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	283K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYA8N250CHV 数据手册

IXYA8N250CHV

IXYH8N250CHV

Fig. 19. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Collector Current

Fig. 18. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Gate Resistance

t _{r i}

t_d(on)

t _{r i}

t_d(on)

T = 150^oC, V = 15V

= 15 , V = 15V

Ω

= 1250V

= 16A

= 1250V

T = 150^oC

= 8A

T = 25^oC

100

I_C- Amperes

R_G- Ohms

Fig. 20. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Junction Temperature

t _{r i}

t_d(on)

= 15 , V = 15V

Ω

= 1250V

= 16A

= 8A

100

125

150

T_J- Degrees Centigrade

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: IXY_8N250C(3T-P628) 1-31-17

1...3 4 567

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