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IXYA8N250CHV

更新时间： 2024-02-23 09:11:29

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	283K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYA8N250CHV 数据手册

IXYA8N250CHV

IXYH8N250CHV

Fig. 7. Transconductance

Fig. 8. Gate Charge

= - 40^oC

V_CE= 1250V

I_C= 8A

I_G= 10mA

25^oC

150^oC

I_C- Amperes

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 9. Capacitance

Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area

10,000

1,000

100

= 1 MHz

ies

oes

= 150^oC

= 15

Ω

dv / dt < 10V / ns

res

250

500

750

1000

1250

1500

1750

2000

2250

2500

V_CE- Volts

Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Second

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6 7

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