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IXTT10N100D

更新时间： 2024-02-16 09:03:30

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5页	117K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXTT10N100D 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.19	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT10N100D 数据手册

IXTT10N100D

IXTH10N100D

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

T_J= - 40ºC

25ºC

125ºC

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

1.4

140

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 10. Breakdown & Threshold Voltages

vs. Junction Temperature

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

1.5

V_GS= -10V

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

V_GS(off)@ V_DS= 25V

BV_DSS@ V_GS= -10V

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

-50

-25

100

125

150

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

V_SD- Volts

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 12. Capacitance

Fig. 11. Gate Charge

10,000

1,000

100

= 1 MHz

V_DS= 500V

_D= 5A

iss

_G= 10mA

oss

-2

-4

-6

rss

100

120

Q_G- NanoCoulombs

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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