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IXTP240N055T PDF预览

IXTP240N055T

更新时间： 2024-11-05 20:59:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 174K
描述
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IXTP240N055T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：240 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：650 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTP240N055T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTA240N055T  
IXTP240N055T  
VDSS = 55  
ID25 = 240  
RDS(on) ≤ 3.6 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXTA)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
55  
55  
V
V
G
S
VGSM  
Transient  
± 20  
V
(TAB)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
240  
75  
650  
A
A
A
Lead Current Limit, RMS  
TO-220 (IXTP)  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
1.0  
A
J
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175°C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
G
(TAB)  
D
S
TC = 25°C  
480  
W
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-40 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3
g
g
2.5  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
ꢀ
Space savings  
ꢀ
High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
Automotive  
- Motor Drives  
- High Side Switch  
- 12VBattery  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
55  
V
V
2.0  
4.0  
± 200  
nA  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
μA  
μA  
ꢀ
Primary- Side Switch  
TJ = 150°C  
250  
ꢀ
High Current Switching  
Applications  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
3.0  
3.6 mΩ  
DS99627 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTP240N055T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA240N055T IXYS

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP260N055T2 IXYS

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IXTQ240N055T IXYS

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