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IXTK200N10P

更新时间： 2024-03-12 21:01:44

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	229K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTK200N10P 数据手册

IXTK 200N10P

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

300

250

200

150

100

140

120

100

T_J= -40 C

₂₅º_C

₁₅₀º_C

T_J= -40 C

₂₅º_C

₁₅₀º_C

4.5

5.5

V_{G S}- Volts

6.5

7.5

8.5

100

150 200

I _D- Amperes

250

300

350

Fig. 9. Source Current vs.

Source-To-Drain Voltage

Fig. 10. Gate Charge

350

300

250

200

150

100

V_DS= 50V

I_D= 100A

I_G= 10mA

T_J= 150 C

T_J= 25 C

0.4

0.6

0.8 1

V_{S D}- Volts

1.2

1.4

1.6

25 50 75 100 125 150 175 200 225 250

Q _G- nanoCoulombs

Fig. 12. Forward-Bias

Safe Operating Area

Fig. 11. Capacitance

100,000

10,000

1,000

100

1000

100

T_J= 175 C

f = 1MHz

R_DS(on)Limit

_C= 25 C

iss

100µs

oss

1ms

rss

10ms

V_DS- Volts

100

1000

V_{D S}- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

1 2 345 6

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