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IXTA220N04T2-TRL

更新时间： 2024-02-06 20:22:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 255K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA220N04T2-TRL 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Base Number Matches：1

IXTA220N04T2-TRL 数据手册

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IXTA220N04T2  
IXTP220N04T2  
Fig. 13. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Junction Temperature  
Fig. 14. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Drain Current  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
R
= 3.3Ω, V = 10V  
GS  
G
R
= 3.3Ω, V = 10V  
GS  
G
V
= 20V  
DS  
V
= 20V  
DS  
T = 125oC  
J
I
= 110A  
D
T = 25oC  
J
I
= 220A  
D
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105  
115  
125  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180  
200  
TJ - Degrees Centigrade  
ID - Amperes  
Fig. 15. Resistive Turn-on  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 16. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Junction Temperature  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
65  
36  
42  
t f  
td(off)  
t r  
td(on)  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
38  
34  
30  
26  
22  
18  
55  
45  
35  
25  
15  
5
T = 125oC, V = 10V  
R
G
= 3.3Ω, V = 10V  
GS  
J
GS  
V
= 20V  
DS  
V
= 20V  
DS  
I
= 220A  
D
I
= 220A, 110A  
D
I
= 110A  
D
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105  
115  
125  
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
TJ - Degrees Centigrade  
RG - Ohms  
Fig. 18. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 17. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Drain Current  
200  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
42  
38  
34  
30  
26  
22  
18  
14  
50  
46  
42  
38  
34  
30  
26  
22  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
t f  
td(off)  
t f  
td(off)  
T = 125oC, V = 10V  
J
GS  
R
G
= 3.3Ω, V = 10V  
GS  
V
= 20V  
DS  
V
= 20V  
DS  
T = 125oC  
J
I
= 110A  
D
60  
60  
40  
40  
I
= 220A  
D
20  
20  
T = 25oC  
J
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180  
200  
RG - Ohms  
ID - Amperes  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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与IXTA220N04T2-TRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA220N055T IXYS

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 		Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA220N075T7 IXYS

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 		MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
IXTA230N04T4 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA230N075T2 IXYS

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 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA230N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA230N075T2-7 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 75V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA230N075T2-7 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA240N055T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA24N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA24N65X2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor

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