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IXTA220N04T2-TRL

更新时间： 2024-01-05 08:15:08

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IXYS		/
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6页	255K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA220N04T2-TRL 技术参数

IXTA220N04T2

IXTP220N04T2

Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance

0.1

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: T_220N04T2 (V5) 7-10-18-F

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA220N055T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA220N075T7	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
IXTA230N04T4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA230N075T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA230N075T2-7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 75V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA230N075T2-7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA240N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA24N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA24N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor