品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 168K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.45 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA200N055T2-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA200N075T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA200N075T7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA200N085T | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA-200N085T | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA200N085T7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA20N65X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA20N65X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA20N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTA20N65X-TRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |