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IXTA200N055T2-7

更新时间: 2024-10-29 14:56:35
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 168K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

IXTA200N055T2-7 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.45
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:2
端子面层:Matte Tin (Sn)

IXTA200N055T2-7 数据手册

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IXTA200N055T2-7  
Fig. 7. Input Admittance  
Fig. 8. Transconductance  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
140  
120  
100  
80  
TJ = - 40ºC  
25ºC  
150ºC  
60  
TJ = 150ºC  
25ºC  
- 40ºC  
60  
40  
40  
20  
20  
0
0
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
6.0  
6.5  
1.3  
40  
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140 160 180 200  
VGS - Volts  
ID - Amperes  
Fig. 9. Forward Voltage Drop of  
Intrinsic Diode  
Fig. 10. Gate Charge  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
280  
240  
200  
160  
120  
80  
VDS = 28V  
D = 100A  
I G = 10mA  
I
TJ = 150ºC  
TJ = 25ºC  
40  
0
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
1.2  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90 100 110  
QG - NanoCoulombs  
VSD - Volts  
Fig. 11. Capacitance  
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area  
100,000  
10,000  
1,000  
100  
1,000  
RDS( ) Limit  
on  
= 1 MHz  
f
25µs  
C
iss  
100  
10  
1
100µs  
External Lead Limit  
1ms  
C
oss  
DC, 100ms  
C
rss  
TJ = 175ºC  
TC = 25ºC  
Single Pulse  
10ms  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
1
10  
100  
VDS - Volts  
VDS - Volts  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYS REF: T_200N055T2(V5)3-06-08-B  

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