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IXSR50N60BU1 PDF预览

IXSR50N60BU1

更新时间： 2024-10-02 19:59:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXSR50N60BU1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：ISOPLUS
包装说明：ISOPLUS247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：460 ns
标称接通时间 (ton)：140 nsBase Number Matches：1

IXSR50N60BU1 数据手册

 浏览型号IXSR50N60BU1的Datasheet PDF文件第2页 
IXSR 50N60BU1  
IGBT with Diode  
V
= 600 V  
= 70 A  
= 2.6 V  
CES  
ISOPLUS 247TM  
I
C25  
V
(ElectricallyIsolatedBackside)  
t CE(sat) = 150 ns  
fi(typ)  
Short Circuit SOA Capability  
PreliminaryDataSheet  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS247TM  
VCES  
VCGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
J
J
E 153432  
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
GE  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC90  
ICM  
T
= 25°C  
70  
45  
A
A
A
G
C
C
E
T
= 90°C  
C
Isolated backside*  
T
= 25°C, 1 ms  
150  
C
SSOA  
(RBSOA)  
V = 15 V, T = 125°C, R = 22 Ω  
Clamped inductive load  
I = 100  
CM  
A
µs  
W
GE  
VJ  
G
G = Gate,  
E = Emitter  
C = Collector,  
@ 0.8 V  
CES  
tSC  
(SCSOA)  
V
= 15 V, V = 360 V, T = 125°C  
10  
GE  
CE  
J
R = 22 Ω, non repetitive  
G
* Patent pending  
PC  
T
= 25°C  
250  
C
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
l
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min leads-to housing  
2500  
300  
V~  
DCB Isolated mounting tab  
Meets TO-247AD package Outline  
High current handling capability  
Latest generation HDMOSTM process  
l
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
°C  
l
l
l
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Weight  
5
g
Applications  
l
Uninterruptible power supplies (UPS)  
l
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
Switched-mode and resonant-mode  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
power supplies  
AC motor speed control  
J
l
min. typ. max.  
l
DC servo and robot drives  
DC choppers  
BVCES  
VGE(th)  
I
= 3 mA, V = 0 V  
600  
4
V
l
C
GE  
I
= 4 mA, V = V  
GE  
8
V
C
CE  
Advantages  
ICES  
V
V
= 0.8 V  
= 0 V  
T = 25°C  
350  
5
µA  
mA  
CE  
GE  
CES  
J
l
T = 150°C  
J
Easy assembly  
l
High power density  
IGES  
V
= 0 V, V = ±20 V  
±100  
nA  
V
CE  
GE  
l
Very fast switching speeds for high  
frequency applications  
VCE(sat)  
I
= IT, V = 15 V  
2.6  
C
GE  
© 2002 IXYS All rights reserved  
98889 (1/2)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXST15N120B IXYS

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