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IXST15N120B

更新时间： 2024-02-22 05:46:01

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅瞄准线开关功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3

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IXST15N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	FAST SWITCHING, LOW SWITCHING LOSSES	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	563 ns
标称接通时间 (ton)：	55 ns	Base Number Matches：	1

IXST15N120B 数据手册

IXSH 15N120B

IXST 15N120B

HIGH Voltage IGBT

I_C25

30 A

V_CES

= 1200 V

"S" Series - Improved SCSOA Capability

V_CE(sat)= 3.4 V

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXSH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

TO-268 (IXST)

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10 W

Clampedinductiveload

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

(TAB)

t_SC

T_J= 125°C, V_GE= 720 V; V_GE= 15 V, R_G= 10 W

Nonrepetitive

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering (TO-268)

300

260

°C

Features

Weight

TO-247

TO-268

• HighBlockingVoltage

• EpitaxialSilicondriftregion

- fast switching

- small tail current

- low switching losses

• MOS gate turn-on for drive simplicity

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1.0 mA, V_GE= 0 V

1200

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

Applications

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

Note 1

50 mA

2.5 mA

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90,V_GE= 15 V

Note 2

3.0

2.8

3.4

• DC choppers

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98652A(7/00)

1 - 2

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