IRF520PBF是一款由Vishay Siliconix生产的第三代功率MOSFET。它以其快速开关特性、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益而受到设计师的青睐。本文将对IRF520PBF的主要特性、电气参数、热阻抗、典型特性和应用指南进行详细解读。

主要特性

动态dV/dt额定值：能够承受快速的电压变化。

重复雪崩额定：可以承受重复的雪崩击穿条件。

175°C工作温度：适用于高温环境。

快速开关：提供快速的开关响应。

易于并联：简化了并联使用的设计。

简单的驱动要求：降低了驱动电路的复杂性。

无铅：符合环保要求。

产品摘要

IRF520PBF是一款N-Channel MOSFET，采用TO-220封装，适用于大约50W的功率耗散。其低热阻和低封装成本使其在工业中得到广泛应用。

电气参数

VDS(漏源电压)：100V

RDS(on)(导通电阻)：在VGS=10V时为0.27Ω

Qg(最大栅极电荷)：16nC

Qgs(栅源电荷)：4.4nC

Qgd(栅漏电荷)：7.7nC

热阻抗

RthJA(结到环境的热阻)：最大62°C/W

RthCS(外壳到散热器的热阻)：0.50°C/W

RthJC(结到外壳的热阻)：最大2.5°C/W

规格说明

静态漏源击穿电压：100V

门源阈值电压：2.0V至4.0V

零门源电压漏电流：25μA至250μA

导通状态下的漏源电阻：0.27Ω

动态特性

输入电容：Ciss为360pF

输出电容：Coss为150pF

反向传输电容：Crss为34pF

总栅极电荷：Qg为16nC

典型特性图

手册提供了在25°C和175°C条件下的典型输出特性图、转移特性图、导通电阻随温度变化的图、电容与漏源电压的关系图等。

应用指南

最大漏电流与外壳温度的关系：展示了不同温度下允许的最大漏电流。

开关时间测试电路和波形：提供了测试MOSFET开关时间的电路和预期波形。

最大有效瞬态热阻抗：展示了结到外壳的瞬态热阻抗。

免责声明

Vishay明确声明，所有产品规格和数据如有更改，不另行通知。Vishay对任何错误、不准确或不完整信息不承担任何责任。产品规格不扩展或修改Vishay的购买条款和条件。

结论

IRF520PBF是一款高性能的功率MOSFET，适用于需要快速开关和高可靠性的应用。其详细的电气参数和热阻抗数据为设计工程师提供了必要的信息，以确保在设计过程中能够正确地选择和使用该器件。通过遵循手册中的指导和建议，可以最大限度地发挥IRF520PBF的性能并确保系统的可靠性。