5秒后页面跳转
IXFN360N10T PDF预览

IXFN360N10T

更新时间: 2024-04-09 18:40:59
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 202K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处

IXFN360N10T 数据手册

 浏览型号IXFN360N10T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXFN360N10T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN360N10T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN360N10T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN360N10T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFN360N10T的Datasheet PDF文件第7页 
IXFN360N10T  
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance  
.sadgsfgsf  
0.300  
0.100  
0.010  
0.001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
Pulse Width - Seconds  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  
IXYS REF: F_360N10T(8V)9-23-09  

与IXFN360N10T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXFN360N15T2 IXYS GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET

获取价格

IXFN360N15T2 LITTELFUSE 这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能

获取价格

IXFN36N100 IXYS HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

获取价格

IXFN36N100 LITTELFUSE 功能与特色: 应用: 优点:

获取价格

IXFN36N110P IXYS Polar Power MOSFET HiPerFET

获取价格

IXFN36N60 IXYS HiPerFET Power MOSFET

获取价格