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IRLR8726PBF

更新时间： 2024-09-14 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 336K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLR8726PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.84
Base Number Matches：1

IRLR8726PBF 数据手册

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PD - 97146  
IRLR8726PbF  
IRLU8726PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg (typ.)  
15nC  
5.8m @VGS = 10V  
D
D
Benefits  
S
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
S
D
D
G
G
D-Pak  
IRLR8726PbF  
I-Pak  
IRLU8726PbF  
l Lead-Free  
l RoHS compliant  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
30  
± 20  
86  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
D
D
61  
A
340  
75  
DM  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
P
P
@TC = 25°C  
W
D
D
@TC = 100°C  
38  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.5  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 175  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
2.0  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
110  
Notes  through † are on page 11  
ORDERING INFORMATION:  
See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet.  
www.irf.com  
1
12/16/08  
1234567...11

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IRLR8726PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR8726TRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8726TRPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRFR3709ZPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLR8726PBF_09 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLR8726TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8726TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRLR8726TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8726TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8726TRPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR8729PBF INFINEON

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获取价格

 		Compatible with Existing Surface Mount Techniques

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