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IRLR9343TRLPBF

更新时间： 2024-10-30 20:39:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 240K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR9343TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

IRLR9343TRLPBF 数据手册

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PD - 95850  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRLR9343  
IRLU9343  
IRLU9343-701  
Features  
l Advanced Process Technology  
Key Parameters  
l Key Parameters Optimized for Class-D Audio  
Amplifier Applications  
l Low RDSON for Improved Efficiency  
l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved  
Efficiency  
l Low Qrr for Better THD and Lower EMI  
l 175°C Operating Junction Temperature for  
Ruggedness  
VDS  
RDS(ON) typ. @ VGS = -10V  
DS(ON) typ. @ VGS = -4.5V  
-55  
V
m:  
m:  
nC  
°C  
93  
R
150  
31  
Qg typ.  
TJ max  
175  
l Repetitive Avalanche Capability for Robustness and  
Reliability  
D
l Multiple Package Options  
D-Pak  
IRLR9343  
I-Pak  
IRLU9343  
G
I-Pak Leadform 701  
IRLU9343-701  
S
Refer to page 10 for package outline  
Description  
This Digital Audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MosFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery  
and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD  
and EMI. Additional features of this MosFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability.  
These features combine to make this MosFET a highly efficient, robust and reliable device for Class-D audio amplifier  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
-55  
±20  
-20  
-14  
-60  
79  
Units  
V
VDS  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current c  
A
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
W
39  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Clamping Pressure h  
0.53  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 175  
TSTG  
–––  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
Junction-to-Case g  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted) gj  
Junction-to-Ambient (free air) g  
50  
°C/W  
110  
Notes  through ‰are on page 10  
www.irf.com  
1
4/1/04  
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IRLR9343TRPBF INFINEON

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