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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR9343TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR9343TRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLRU110A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLRU120A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
|
| IRLRU120N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
|
| IRLRU130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLRU210A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLRU220A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLRU230A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLRU2905 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
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