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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR9343TRPBF
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IRLR9343TRPBF

更新时间： 2024-09-13 12:28:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体音频放大器晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 308K
描述
key parameters optimlzed for class-d audio amplifier applications

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IRLR9343TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.62雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR9343TRPBF 数据手册

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PD - 95386A  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRLR9343PbF  
IRLU9343PbF  
IRLU9343-701PbF  
Features  
l Advanced Process Technology  
Key Parameters  
l Key Parameters Optimized for Class-D Audio  
Amplifier Applications  
l Low RDSON for Improved Efficiency  
l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved  
Efficiency  
l Low Qrr for Better THD and Lower EMI  
l 175°C Operating Junction Temperature for  
Ruggedness  
VDS  
-55  
V
m
RDS(ON) typ. @ VGS = -10V  
RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V  
Qg typ.  
93  
m
150  
31  
nC  
°C  
TJ max  
175  
l Repetitive Avalanche Capability for Robustness and  
Reliability  
D
l Multiple Package Options  
l Lead-Free  
D-Pak  
IRLR9343  
I-Pak  
IRLU9343  
G
I-Pak Leadform 701  
IRLU9343-701  
S
Refer to page 10 for package outline  
Description  
This Digital Audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MosFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery  
and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD  
and EMI. Additional features of this MosFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability.  
These features combine to make this MosFET a highly efficient, robust and reliable device for Class-D audio amplifier  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
-55  
±20  
-20  
-14  
-60  
79  
Units  
V
VDS  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
A
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
W
39  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Clamping Pressure  
0.53  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 175  
TSTG  
–––  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
50  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted)  
Junction-to-Ambient (free air)  
Rθ  
°C/W  
JA  
RθJA  
110  
Notes  through ‰are on page 10  
www.irf.com  
1
12/07/04  
1234567...11

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IRLR9343TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR9343TRLPBF INFINEON

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