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IRLS3034TRLPBF

更新时间： 2024-11-04 11:55:11
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 373K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRLS3034TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.98其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：255 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：343 A最大漏极电流 (ID)：195 A
最大漏源导通电阻：0.0017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：375 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1372 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRLS3034TRLPBF 数据手册

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PD -97364A  
IRLS3034PbF  
IRLSL3034PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
D
S
l DC Motor Drive  
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
40V  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
1.4m  
1.7m  
343A  
195A  
G
Benefits  
l Optimized for Logic Level Drive  
l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS  
l Superior R*Q at 4.5V VGS  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
D
D
S
S
D
G
G
D2Pak  
IRLS3034PbF  
TO-262  
IRLSL3034PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
343  
243  
195  
1372  
375  
2.5  
Units  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
±20  
4.6  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
°C  
300  
10lbf in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
255  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.4  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
°C/W  
RθJA  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
www.irf.com  
1
07/02/09  
1234567...10

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