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IRLS3034TRL7PP

更新时间： 2024-11-25 17:12:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 327K
描述
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB, D2PAK-7/6

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IRLS3034TRL7PP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.71
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：240 A最大漏源导通电阻：0.0014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263CB
JESD-30 代码：R-PSSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：1540 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLS3034TRL7PP 数据手册

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PD - 97362  
IRLS3034-7PPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l DC Motor Drive  
D
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
VDSS  
RDS(on) typ.  
40V  
1.0m  
1.4m  
380A  
Ω
Ω
c
max.  
G
ID  
ID  
(Silicon Limited)  
Benefits  
l Optimized for Logic Level Drive  
l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS  
l Superior R*Q at 4.5V VGS  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
240A  
S
(Package Limited)  
D
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
S
S
S
S
G
D2Pak 7 Pin  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Parameter  
Max.  
380c  
270c  
240  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)  
Pulsed Drain Current d  
A
1540  
PD @TC = 25°C  
380  
W
Maximum Power Dissipation  
2.5  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
1.3  
Peak Diode Recovery f  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
300  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy e  
EAS (Thermally limited)  
250  
mJ  
A
Avalanche Currentꢀd  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy d  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Junction-to-Case kl  
Junction-to-Ambient j  
Typ.  
–––  
Max.  
0.40  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
–––  
www.irf.com  
1
1/12/09  
1234567...9

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