5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRLS3036TRLPBF
IRLS3036TRLPBF PDF预览

IRLS3036TRLPBF

更新时间： 2024-11-06 19:45:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 357K
描述
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRLS3036TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.71雪崩能效等级（Eas）：290 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：270 A
最大漏极电流 (ID)：195 A最大漏源导通电阻：0.0024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：380 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：1100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLS3036TRLPBF 数据手册

 浏览型号IRLS3036TRLPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLS3036TRLPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLS3036TRLPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLS3036TRLPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLS3036TRLPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLS3036TRLPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD -97358  
IRLS3036PbF  
IRLSL3036PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
D
S
l DC Motor Drive  
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
60V  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
1.9mΩ  
2.4m  
270A  
Ω
G
195A  
Benefits  
l Optimized for Logic Level Drive  
l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS  
l Superior R*Q at 4.5V VGS  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
D
S
D
G
D2Pak  
G
TO-262  
IRLSL3036PbF  
IRLS3036PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
270  
190  
195  
1100  
380  
2.5  
Units  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
±16  
8.0  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
Operating Junction and  
-55 to + 175  
300  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
°C  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
290  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.40  
40  
Units  
°C/W  
11  
Rθ  
JC  
Junction-to-Case  
Rθ  
JA  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
www.irf.com  
1
12/08/08  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRLS3036TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRLS3036 INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology
IRLS3036PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
AUIRLS3036TRL INFINEON

功能相似

 Advanced Process Technology

与IRLS3036TRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLS3813PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRLS4030 INFINEON

获取价格

 		100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封
IRLS4030-7P INFINEON

获取价格

 		100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-P
IRLS4030-7PPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLS4030PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLS4030TRL7PP INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
IRLS4030TRLPBF INFINEON

获取价格

 		DC Motor Drive
IRLS510 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLS510A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRLS511 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 80V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRLS3036TRLPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证