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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLS624 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS630 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS630A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRLS631 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS640 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLS640A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS640A | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，A-FET，200 V，9.8 A，180 mΩ， |
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| IRLS641 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLSG5653 | INFINEON |
获取价格 |
INTEGRATED SWITCHER |
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| IRLSL3034PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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