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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLSZ14 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLSZ14A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRLSZ20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLSZ24 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLSZ24A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
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| IRLSZ30 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLSZ34 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLSZ34A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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| IRLSZ40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLSZ44 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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