是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1.12 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 678707 |
Samacsys Pin Count: | 6 | Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | SOT23 (6-Pin) | Samacsys Footprint Name: | TSOP-6- |
Samacsys Released Date: | 2019-07-02 04:19:41 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.3 A | 最大漏极电流 (ID): | 8.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0175 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 64 A | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLU010 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRLU014 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRLU014 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLU014(2350) | ETC |
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HEXFET Power MOSFET(110.86 k) | |
IRLU014A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-251AA | |
IRLU014N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLU014NPBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = | |
IRLU014PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLU020 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251 | |
IRLU024 | VISHAY |
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Power MOSFET |