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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLU120 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
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| IRLU120 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLU120A | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLU120ATU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLU120N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
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| IRLU120NPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLU120PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLU121 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLU130 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRLU130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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