IRLU130ATU

更新时间： 2024-11-24 13:08:55

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
9页	268K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3

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IRLU130ATU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
雪崩能效等级（Eas）：	225 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLU130ATU 数据手册

IRLR/U130A

FEATURES

BV_DSS= 100 V

R_DS(on)= 0.12Ω

I_D= 13 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

D-PAK

I-PAK

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 100V

Lower R_DS(ON): 0.101 (Typ.)

Ω

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

100

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

225

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

4.6

6.5

2.5

V/ns

Total Power Dissipation (T_A=25°C)

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

P_D

0.37

W/°C

Operating Junction and

T_J, T_STG

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

°C

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

T_L

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Typ.

Max.

Units

Junction-to-Case

2.7

R_θJA

Junction-to-Ambient

°C/W

R_θJA

110

When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. B

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLU210	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLU210A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLU210ATU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLU211	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-251
IRLU220	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLU220A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLU220A	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLU220ATU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLU221	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-251
IRLU224	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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