5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRLU110 | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRLU110 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
获取价格 |
|
| IRLU110A | FAIRCHILD | ADVANCED POWER MOSFET |
获取价格 |
|
| IRLU110ATU | FAIRCHILD | Avalanche Rugged Technology |
获取价格 |
|
| IRLU110PBF | INFINEON | HEXFET㈢ Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRLU110PBF | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
MAX7219驱动8段数码管详解及数据手册关键信息
ATMEGA328P技术资料深入分析
AT24C02芯片手册管脚信息、参数分析、应用领域详解
AT24C256芯片手册参数分析、引脚说明、读写程序示例
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
