是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 0.64 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 186881 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name: | TO-251AA (HIGH VOLTAGE) |
Samacsys Released Date: | 2019-09-29 09:44:38 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 27.4 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 31 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
RFD14N05L | FAIRCHILD |
功能相似 |
14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLU020 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251 | |
IRLU024 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLU024A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251AA | |
IRLU024N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLU024NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLU024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRLU024Z | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRLU024ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRLU034A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-251AA | |
IRLU110 | VISHAY |
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Power MOSFET |