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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 55 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLTS6342 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRLTS6342PBF | INFINEON |
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Industry-Standard TSOP-6 Package |
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| IRLTS6342TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRLU010 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLU014 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRLU014 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLU014(2350) | ETC |
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HEXFET Power MOSFET(110.86 k) |
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| IRLU014A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-251AA |
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| IRLU014N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLU014NPBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
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