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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.92 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 64 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 63 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLS640A | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，A-FET，200 V，9.8 A，180 mΩ， |
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| IRFI640GPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLS641 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLSG5653 | INFINEON |
获取价格 |
INTEGRATED SWITCHER |
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| IRLSL3034PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLSL3036PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLSL4030 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRLSL4030PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLSZ10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLSZ14 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLSZ14A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRLSZ20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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