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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.94 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 270 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 270 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 380 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLSL4030 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRLSL4030PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLSZ10 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLSZ14 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLSZ14A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRLSZ20 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLSZ24 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLSZ24A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
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| IRLSZ30 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLSZ34 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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