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IRLS510A

更新时间： 2024-09-15 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 279K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRLS510A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：54 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.44 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：23 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRLS510A 数据手册

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IRLS510A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
n Logic-Level Gate Drive  
Ω
RDS(on) = 0.44  
ID = 4.5 A  
n Avalanche Rugged Technology  
n Rugged Gate Oxide Technology  
n Lower Input Capacitance  
n Improved Gate Charge  
TO-220F  
n Extended Safe Operating Area  
µ
n Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
Ω
n Lower RDS(ON) : 0.336  
(Typ.)  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25o  
Continuous Drain Current (T =100o  
V
100  
4.5  
3.1  
20  
)
C
ID  
A
)
C
C
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
1
Drain Current-Pulsed  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
A
V
O
+
_
20  
2
54  
mJ  
A
O
1
4.5  
2.3  
6.5  
23  
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
oC  
1
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
O
3
O
Total Power Dissipation (TC=25  
Linear Derating Factor  
)
PD  
TJ , TSTG  
TL  
0.15  
Operating Junction and  
- 55 to +175  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8＂ from case for 5-seconds  
300  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
6.5  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
--  
--  
oC/W  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
62.5  
Rev. A  
1234567

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