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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLS610A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS611 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS620 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS620A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS621 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS624 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS630 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS630A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS631 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS640 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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