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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 33 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 26 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLS621 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS624 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS630 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS630A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLS631 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS640 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLS640A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS640A | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，A-FET，200 V，9.8 A，180 mΩ， |
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| IRLS641 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLSG5653 | INFINEON |
获取价格 |
INTEGRATED SWITCHER |
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