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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLS620 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS620A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRLS621 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS624 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS630 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS630A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS631 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS640 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLS640A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRLS640A | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，A-FET，200 V，9.8 A，180 mΩ， |
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