5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 228 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 49 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLS540 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRLS540A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLS610 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS610A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLS611 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS620 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS620A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRLS621 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS624 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLS630 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
