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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLS530A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS540 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRLS540A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS610 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS610A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS611 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS620 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS620A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRLS621 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLS624 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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