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IRLS3036-7P

更新时间： 2024-11-04 14:42:55

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	307K
描述
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB, PLASTIC, D2PAK-7

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IRLS3036-7P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	240 A
最大漏源导通电阻：	0.0019 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263CB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1000 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLS3036-7P 数据手册

PD -97148A

IRLS3036-7PPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l DC Motor Drive

V_DSS

60V

R_DS(on)typ.

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

1.5m

1.9m

300A

max.

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

240A

Benefits

l Optimized for Logic Level Drive

l Very Low R_DS(ON)at 4.5V V_GS

l Superior R*Q at 4.5V V_GS

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

D²Pak 7 Pin

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Parameter

Max.

300c

210

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current d

240

1000

380

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

2.5

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

± 16

8.1

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery f

dv/dt

T_J

V/ns

Operating Junction and

-55 to + 175

300

T_STG

°C

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy e

E_{AS (Thermally limited)}

300

Avalanche Current d

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b

Repetitive Avalanche Energy d

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.40

Units

°C/W

R_θJC

Junction-to-Case kl

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state) j

–––

www.irf.com

10/28/10

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLS3036-7PPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLS3036-7PPBF_10	INFINEON	获取价格	HEXFETPower MOSFET
IRLS3036PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLS3036TRL-7P	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRLS3036TRL7PP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRLS3036TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRLS3813PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRLS4030	INFINEON	获取价格	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封
IRLS4030-7P	INFINEON	获取价格	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-P
IRLS4030-7PPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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