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IRLR9343PBF

更新时间： 2024-11-25 19:55:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 放大器脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 337K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRLR9343PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR9343PBF 数据手册

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PD - 95386A  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRLR9343PbF  
IRLU9343PbF  
IRLU9343-701PbF  
Features  
l Advanced Process Technology  
Key Parameters  
l Key Parameters Optimized for Class-D Audio  
Amplifier Applications  
l Low RDSON for Improved Efficiency  
l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved  
Efficiency  
l Low Qrr for Better THD and Lower EMI  
l 175°C Operating Junction Temperature for  
Ruggedness  
VDS  
-55  
V
m
RDS(ON) typ. @ VGS = -10V  
RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V  
Qg typ.  
93  
m
150  
31  
nC  
°C  
TJ max  
175  
l Repetitive Avalanche Capability for Robustness and  
Reliability  
D
l Multiple Package Options  
l Lead-Free  
D-Pak  
IRLR9343  
I-Pak  
IRLU9343  
G
I-Pak Leadform 701  
IRLU9343-701  
S
Refer to page 10 for package outline  
Description  
This Digital Audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MosFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery  
and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD  
and EMI. Additional features of this MosFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability.  
These features combine to make this MosFET a highly efficient, robust and reliable device for Class-D audio amplifier  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
-55  
±20  
-20  
-14  
-60  
79  
Units  
V
VDS  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
A
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
W
39  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Clamping Pressure  
0.53  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 175  
TSTG  
–––  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
50  
Units  
Junction-to-Case  
RθJC  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted)  
Junction-to-Ambient (free air)  
Rθ  
°C/W  
JA  
RθJA  
110  
12/07/04  
Notes  through ‰are on page 10  
Document Number: 91341  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLR9343TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRLR9343TR UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRLR9343TRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRLR9343TRLPBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRLR9343TRPBF INFINEON

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 		key parameters optimlzed for class-d audio amplifier applications
IRLR9343TRPBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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