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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 74 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0089 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 260 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLR8729TRPBF | INFINEON |
完全替代  |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IPD090N03LGATMA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD090N03LG | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS®3 Power-Transistor Features Fast swit |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR8729TRLPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRLR8729TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLR8729TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRLR8729TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR8743 | ISC |
获取价格 |
Isc N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IRLR8743 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRLR8743_19 | ISC |
获取价格 |
Isc N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IRLR8743PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRLR8743TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRLR9343 | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
|
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