5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 20 weeks |
| 风险等级： | 7.49 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 160 A | 最大漏极电流 (ID)： | 160 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0031 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 640 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLR8743TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRLR7843PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFR3709ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR8743TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRLR9343 | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
|
| IRLR9343PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
|
| IRLR9343PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR9343TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR9343TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| IRLR9343TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR9343TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR9343TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR9343TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
key parameters optimlzed for class-d audio amplifier applications |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
