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IRHY57034CMPBF

更新时间： 2024-01-05 02:52:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

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IRHY57034CMPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	S-CSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHY57034CMPBF 数据手册

Pre-Irradiation

IRHY57034CM, JANSR2N7483T3

200

150

100

TOP

8.0A

11.4A

BOTTOM 18A

15V

DRIVER

D.U.T

V_GS

20V

0.01

Ω

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

100

125

150

Starting T , Junction Temperature ( C)

(BR)DSS

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

Vs. Drain Current

Current Regulator

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

Same Type as D.U.T.

50KΩ

.2µF

12V

.3µF

12 V

D.U.T.

3mA

Charge

Current Sampling Resistors

Fig 13b. Gate Charge Test Circuit

Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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