Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHY57034CMPBF

IRHY57034CMPBF

更新时间： 2024-01-31 10:37:54

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRHY57034CMPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	S-CSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHY57034CMPBF 数据手册

IRHY57034CM, JANSR2N7483T3

Pre-Irradiation

1000

100

VGS

15V

12V

10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

TOP

15V

12V

10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

TOP

100

BOTTOM 5.0V

5.0V

20µs PULSE WIDTH

T = 25 C

T = 150 C

0.1

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

1000

100

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

22A

=18A

T = 25 C

T = 150 C

= 25V

20µs PULSE WIDTH

= 12V

11 13

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

, Gate-to-Source Voltage (V)

T , Junction Temperature ( C)

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

Fig 4. Normalized On-Resistance

Vs. Temperature

www.irf.com

1 2 345 6 7 8

下载PDF

与IRHY57034CMPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHY57034CMSCS	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRHY57034CMSCSPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRHY57130CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET	获取价格
IRHY57133CMSE	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格
IRHY57133CMSEPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 130V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRHY57230CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格