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IRHY57034CMPBF

更新时间： 2024-01-28 07:58:14

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

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IRHY57034CMPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-257AA
JESD-30 代码：	S-CSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHY57034CMPBF 数据手册

IRHY57034CM, JANSR2N7483T3

Pre-Irradiation

R_D

V_DS

LIMITED BY PACKAGE

V_GS

D.U.T.

R_G

⁺V_DD

V_GS

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

90%

100

125

150

T , Case Temperature ( C)

10%

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

d(on)

d(off)

Case Temperature

Fig 10b. Switching Time Waveforms

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

Notes:

1. Duty factor D = t / t

2. Peak T =P

x Z

+ T

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHY57034CMSCS	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRHY57034CMSCSPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
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