是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251AA | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.13 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 140 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.3 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFU420APBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU420APBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU420APbF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU420APBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) m | |
IRFU420ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRFU420B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
IRFU420BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFU420PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating | |
IRFU420PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = | |
IRFU420PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFU421 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA |